Określenie MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) dotyczy tranzystorów polowych z izolowaną bramką. Cechą rozpoznawczą jest to, że elektroda bramki jest odseparowana od kanału warstwą izolatora (typowo tlenku), więc sterowanie odbywa się głównie polem elektrycznym, a nie przepływem prądu bramki.
Odpowiedź "polowych z izolowaną bramką" jest poprawna, ponieważ dokładnie opisuje budowę MOSFET: bramka nie jest złączem półprzewodnikowym przewodzącym, tylko elektrodą oddzieloną dielektrykiem. W praktyce oznacza to bardzo dużą impedancję wejściową i niewielki prąd bramki (pomijając zjawiska upływu i pojemności).
Dlaczego pozostałe propozycje są błędne?
- "polowych ze złączem p-n" opisuje tranzystory typu JFET, gdzie to właśnie złącze p-n stanowi bramkę i steruje przewodzeniem kanału przez jego spolaryzowanie w kierunku zaporowym. W MOSFET mogą występować wewnętrzne złącza p-n w strukturze (np. między obszarami źródła/drenu a podłożem), ale nie są one mechanizmem bramki.
- "bipolarnych małej mocy" jest niepoprawne, bo MOSFET nie jest tranzystorem bipolarnym (BJT). BJT działa na dwóch złączach p-n i jest sterowany prądowo, a nie przez bramkę izolowaną.
- "bipolarnych w układzie Darlingtona" także odpada: Darlington to połączenie dwóch tranzystorów bipolarnych zwiększające wzmocnienie prądowe. Nie ma związku z technologią MOS ani z bramką izolowaną.
Wskazówka egzaminacyjna: gdy widzisz MOSFET, myśl "izolowana bramka + tlenek"; gdy widzisz "bramka jako złącze p-n", to typowo chodzi o JFET. Podział FET (polowe) vs BJT (bipolarne) jest tu kluczowy.
