W pamięciach RAM typu DRAM (w praktyce: moduły stosowane w komputerach) wydajność nie zależy wyłącznie od częstotliwości, ale także od timingów, czyli opóźnień wyrażanych jako liczba cykli zegara.
Określenie "czas opóźnienia" bardzo często odnosi się do parametru CAS Latency (CL). Jest to liczba cykli pomiędzy momentem, gdy kontroler pamięci wyśle żądanie odczytu dla kolumny (CAS), a momentem, gdy dane mogą zostać zwrócone na magistralę. Dlatego odpowiedź "CAS Latency" pasuje do definicji opóźnienia.
Dlaczego pozostałe odpowiedzi nie są właściwe w tym ujęciu?
- Command Rate opisuje, jak szybko (w jakiej liczbie cykli) pamięć akceptuje komendy/adresy. To ważny parametr stabilności i kompatybilności, ale nie jest standardową definicją "czasu opóźnienia" w znaczeniu CL.
- RAS Precharge dotyczy czasu potrzebnego na "zamknięcie" (precharge) wiersza przed otwarciem kolejnego. To inny etap cyklu dostępu niż opóźnienie kolumny.
- RAS to CAS Delay (tRCD) to opóźnienie między aktywacją wiersza (RAS) a możliwością adresowania kolumny (CAS). To także timing opóźnienia, ale nie ten, który zwykle nazywa się wprost "CAS Latency/CL".
Wskazówka egzaminacyjna: gdy w materiałach lub konfiguracji widzisz zestaw typu "CL-tRCD-tRP-tRAS", to "CL" (CAS Latency) jest pierwszym i najczęściej kojarzonym parametrem opóźnienia odczytu.
