KWALIFIKACJA ELM5 - TEST WIEDZY NR 3

PYTANIE NR 19.
Rozważ układ tranzystorowy w konfiguracji Darlington:
  • Q1 (NPN) ma wzmocnienie prądowe β=100
  • Q2 (PNP) ma wzmocnienie prądowe β=50
  • Emiter Q1 jest połączony z bazą Q2, a kolektory Q1 i Q2 są połączone razem

Jeśli prąd bazy Q1 wynosi 1 mA i oba tranzystory pracują w aktywnej strefie, jaki będzie prąd kolektora Q2 (w przybliżeniu)?
A.
B.
C.
D.
Wyjaśnienie poprawnej odpowiedzi:
W układzie Darlingtona prąd emitera Q1 zasila bazę Q2, więc przybliżenie daje Ib2≈Ic1.
Ic1=β1·Ib1=100·1 mA=100 mA, zatem Ic2=β2·Ib2≈50·100 mA=5 A. Pozostałe wartości wynikają z błędnego przyjęcia Ib2=Ib1 lub pominięcia wzmocnienia Q1.

Pełne wyjaśnienie:

W strefie aktywnej tranzystora bipolarnego zachodzi zależność Ic=β·Ib. W konfiguracji Darlington tranzystory są połączone tak, że prąd "wzmocniony" przez pierwszy tranzystor steruje drugi: emiter Q1 jest połączony z bazą Q2, więc prąd bazy Q2 jest w praktyce dostarczany przez Q1.

Krok 1: policz prąd kolektora Q1
Ib1=1 mA, β1=100, więc:
Ic1=β1·Ib1=100·1 mA=100 mA.

Krok 2: wyznacz prąd bazy Q2
W przybliżeniu (zgodnie z założeniem zadania o pracy w strefie aktywnej) przyjmujemy, że prąd sterujący Q2 pochodzi z prądu Q1, więc Ib2≈Ic1≈100 mA. To jest kluczowa cecha połączenia Darlingtona: drugi tranzystor nie jest sterowany bezpośrednio prądem 1 mA z wejścia, tylko prądem "podniesionym" przez Q1.

Krok 3: policz prąd kolektora Q2
Dla Q2: β2=50, więc:
Ic2=β2·Ib2≈50·100 mA=5000 mA=5 A.

Dlaczego pozostałe odpowiedzi są błędne?

  • 100 mA – to wynik odpowiadający jedynie Ic1 (pierwszego tranzystora) i pomija wzmocnienie Q2.
  • 50 mA – odpowiada sytuacji, jakby Ib2=1 mA (czyli jak w połączeniu równoległym lub przy bezpośrednim zasilaniu bazy Q2), co nie jest Darlingtonem.
  • Nie można określić… – w tej wersji zadania topologia jest podana, a zależności wynikają wprost z modelu Ic=β·Ib, więc da się policzyć wartość przybliżoną.

W praktyce pamiętaj, że rzeczywisty prąd może być ograniczony przez obciążenie i warunki napięciowe (nasycenie), ale zadanie wprost zakłada pracę w strefie aktywnej, więc stosujemy model wzmocnienia prądowego.

Dodatkowe pytania

Dodatkowe pytania (FAQ):
β (beta) to wzmocnienie prądowe tranzystora BJT w strefie aktywnej, definiowane w uproszczeniu jako stosunek Ic/Ib. Oznacza, ile razy prąd kolektora jest większy od prądu bazy. W zadaniach szkolnych często przyjmuje się stałe β, choć w praktyce zależy ono od prądu i temperatury.
W strefie aktywnej tranzystora bipolarnego prąd kolektora Ic jest w przybliżeniu proporcjonalny do prądu bazy Ib. Stałą proporcjonalności jest β, więc Ic=β·Ib. To model używany do prostych obliczeń, gdy zakłada się, że tranzystor nie jest w nasyceniu.
Układ Darlingtona to połączenie dwóch tranzystorów tak, aby prąd "wzmocniony" przez pierwszy sterował drugim. Daje to bardzo duże wzmocnienie prądowe (w przybliżeniu iloczyn β). Stosuje się go, gdy z małego prądu sterującego trzeba uzyskać duży prąd obciążenia.
Bo drugi tranzystor dostaje prąd bazy pochodzący z prądu wyjściowego pierwszego. Jeśli Q1 daje prąd rzędu β1·Ib1, to ten prąd staje się w przybliżeniu prądem sterującym Q2 (Ib2). Następnie Q2 mnoży go przez β2, więc efekt końcowy jest bliski β1·β2.
Najpierw liczysz Ic1=β1·Ib1. Potem przyjmujesz (w zadaniach uproszczonych), że Ib2≈Ic1. Na końcu liczysz Ic2=β2·Ib2. Ważne jest odróżnienie: wejściowy prąd bazy dotyczy Q1, a prąd bazy Q2 wynika z pracy Q1.
W prostym rachunku na wzmocnieniu prądowym (Ic=β·Ib) zwykle nie, bo liczy się relacja wartości prądów. Typ (PNP/NPN) wpływa na kierunki prądów i polaryzację napięć w realnym układzie. Jeśli jednak zadanie podaje, że oba tranzystory pracują w strefie aktywnej, można skupić się na zależności β.
Gdy tranzystor może być w nasyceniu lub odcięciu, czyli gdy warunki napięciowe i obciążenie ograniczają prąd kolektora. Wtedy Ic nie wynika już z samego β i Ib. W praktyce trzeba sprawdzić, czy element ma odpowiednie napięcia złącza i zapas napięcia kolektor–emiter.
Najczęściej: (1) przyjęcie Ib2=Ib1 jak w połączeniu równoległym, (2) policzenie tylko Ic1 i uznanie go za wynik końcowy, (3) pomylenie, który prąd steruje bazę Q2, (4) zapomnienie, że β1 i β2 mogą być różne. Pomaga rysunek przepływu prądów.
W Darlingtonie prąd z pierwszego tranzystora zasila bazę drugiego (typowo emiter Q1 idzie na bazę Q2), więc drugi nie jest sterowany bezpośrednio z wejścia. W połączeniu równoległym obie bazy są sterowane "tak samo" z jednego źródła, więc prądy baz są niezależne od Ic1.
Ćwicz schematyczny tok: 1) ustal topologię połączeń, 2) zapisz zależności Ic=β·Ib dla każdego tranzystora, 3) powiąż prądy między stopniami (np. Ib2 z Ic1), 4) dopiero licz. W zadaniach często kluczowe jest poprawne wskazanie, skąd bierze się Ib kolejnego stopnia.
info

To pytanie poprawnie rozwiązuje 30% zdających egzamin. bardzo trudne

Według specjalistów z branży: "W układzie Darlingtona prąd emitera Q1 zasila bazę Q2, więc przybliżenie daje Ib2≈Ic1.Ic1=β1·Ib1=100·1 mA=100 mA, zatem Ic2=β2·Ib2≈50·100 mA=5 A."

Źródła:

  • Sedra, Smith, "Microelectronic Circuits", rozdział o tranzystorach bipolarnych (BJT) i modelu prądowym Ic=β·Ib
  • Boylestad, Nashelsky, "Electronic Devices and Circuit Theory", sekcja o układzie Darlingtona (Darlington pair) i jego wzmocnieniu prądowym
  • https://en.wikipedia.org/wiki/Darlington_transistor - accessed 2026-02-24

Materiały:

  • Podręcznik do podstaw elektroniki: tranzystory bipolarne i ich modele prądowe
  • Rozdział o układach złożonych BJT (para Darlingtona) w literaturze układów elektronicznych
  • Zadania rachunkowe z doboru prądów bazy i kolektora w stopniach tranzystorowych

Aktualizacja pytania: 03.04.2026



Aktualizacja pytania: 03.04.2026
📡 Brak połączenia internetowego