Silne pole magnetyczne oddziałuje przede wszystkim na te części układu, które wykorzystują zjawiska magnetyczne: cewki, dławiki, transformatory, elementy ferrytowe oraz czujniki wykorzystujące magnetyzm. W praktyce oznacza to, że może dojść do zmiany parametrów elementów magnetycznych, takich jak indukcyjność, przenikalność magnetyczna materiału rdzenia czy poziom strat.
Jednym z kluczowych mechanizmów jest nasycenie rdzenia. Gdy rdzeń wejdzie w obszar nasycenia, efektywna indukcyjność cewki/dławika spada, a element przestaje działać tak, jak założył projektant. Skutkiem mogą być m.in. słabsza filtracja zakłóceń, większe tętnienia w przetwornicach, zmiana prądów w obwodach i ogólne pogorszenie stabilności pracy urządzenia. W zależności od konstrukcji może to prowadzić do wzrostu nagrzewania, wzrostu zakłóceń przewodzonych lub promieniowanych i do błędów funkcjonalnych.
Odpowiedź "Zwiększenie mocy układu" nie jest typowym bezpośrednim skutkiem działania pola magnetycznego. Pole zewnętrzne nie "dodaje mocy" układowi w kontrolowany sposób; częściej powoduje rozstrojenie, zakłócenia lub dodatkowe straty.
Odpowiedź "Zmniejszenie zużycia energii przez układ" również jest nieadekwatna: oddziaływania elektromagnetyczne zwykle nie optymalizują pracy energetycznej, a wręcz mogą zwiększać straty (np. przez dodatkowe prądy, nagrzewanie elementów magnetycznych albo błędy sterowania).
Odpowiedź "Zwiększenie szybkości przetwarzania danych przez układ" jest myląca, bo silne pole magnetyczne nie podnosi taktowania ani wydajności obliczeniowej. Jeżeli już wpływa na elektronikę cyfrową, to raczej poprzez zakłócenia i błędy, a nie "przyspieszenie".
W praktyce, aby ograniczać skutki silnych pól, stosuje się m.in. właściwe rozmieszczenie elementów, ekranowanie, dobór materiałów rdzeni odpornych na nasycenie oraz testy EMC w warunkach zbliżonych do środowiska pracy urządzenia.
