Tranzystor bipolarny (BJT) jest elementem półprzewodnikowym zbudowanym z trzech warstw materiału typu N i P ułożonych naprzemiennie. W praktyce spotyka się dwie podstawowe struktury: NPN (warstwa P między dwiema warstwami N) oraz PNP (warstwa N między dwiema warstwami P). Te trzy warstwy odpowiadają obszarom: emiter, baza i kolektor.
Skoro są trzy warstwy, to powstają dwa złącza PN: emiter–baza oraz baza–kolektor. To właśnie ta budowa pozwala sterować większym prądem kolektora niewielkim prądem bazy (w typowym trybie pracy wzmacniacza lub przełącznika). Określenie "bipolarny" odnosi się do tego, że w przewodzeniu biorą udział dwa typy nośników ładunku (elektrony i dziury), a nie do liczby warstw.
Dlatego odpowiedź "Tranzystor bipolarny posiada trzy warstwy półprzewodnikowe." jest poprawna.
- Stwierdzenie o "dwóch warstwach" jest błędne, bo dwie warstwy tworzą pojedyncze złącze PN (typowe dla diody), a nie pełną strukturę BJT z emiterem, bazą i kolektorem.
- Stwierdzenie o "czterech warstwach" nie opisuje tranzystora bipolarnego; czterowarstwowa struktura kojarzy się raczej z innymi elementami (np. niektórymi elementami tyrystorowymi), więc przenoszenie tej cechy na BJT prowadzi do pomyłki.
- Stwierdzenie, że nie ma "warstw półprzewodnikowych", jest sprzeczne z samą definicją tranzystora jako elementu półprzewodnikowego.
W nauce do egzaminu warto zapamiętać prostą regułę: BJT = 3 warstwy = 2 złącza PN = 3 elektrody (E, B, C). To pomaga szybko odróżnić tranzystor bipolarny od diody (1 złącze) i od tranzystora polowego (inna zasada działania i inna struktura).
