Tranzystor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) na schemacie identyfikuje się po symbolu bramki (G) oddzielonej od struktury półprzewodnikowej oraz po oznaczeniach drenu (D) i źródła (S). W pytaniu trzeba rozpoznać dwa parametry naraz: typ kanału (n) oraz tryb pracy: wzbogacany (enhancement).
Kanał typu n w symbolice schematowej wiąże się z określonym kierunkiem strzałki/oznaczenia przy strukturze (w praktyce dydaktycznej często zapamiętuje się to jako regułę rozróżniania n/p). Natomiast tryb wzbogacany oznacza, że przy zerowym napięciu bramki nie ma przewodzącego kanału – na symbolu jest to zwykle zaznaczone w sposób odróżniający go od MOSFET zubożanego (depletion), w którym kanał "istnieje" już bez sterowania i bywa rysowany jako kanał ciągły.
Dlatego poprawna jest odpowiedź C: odpowiada symbolowi MOSFET n‑channel enhancement, a więc łączy cechy kanału typu n i zapisu właściwego dla wzbogacania.
Dlaczego pozostałe odpowiedzi są błędne (typowe pułapki):
- A – przedstawia symbol innego typu kanału lub inną odmianę tranzystora polowego; najczęstszy błąd to patrzenie tylko na "ogólny kształt MOSFET".
- B – może odpowiadać MOSFET o przeciwnej polaryzacji kanału (p) albo wariantowi o innej konfiguracji symbolu (np. z innym oznaczeniem strzałki); mylenie wynika z nieuwzględnienia elementu rozróżniającego n/p.
- D – zwykle jest to wariant zubożany (depletion) lub symbol innego elementu z rodziny FET; błąd polega na nieodróżnianiu trybu wzbogacania od zubożania.
Wskazówka egzaminacyjna: najpierw potwierdź, że to MOSFET (bramka odizolowana), potem rozstrzygnij n/p (cecha kierunkowa/strzałka), a na końcu enhancement/depletion (sposób rysowania kanału). Takie podejście zmniejsza ryzyko pomyłki przy podobnych symbolach.
