Tranzystor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) na schematach identyfikuje się przede wszystkim po bramce izolowanej (oddzielonej od kanału szczeliną) oraz po sposobie oznaczenia rodzaju kanału i trybu pracy.
Kanał typu n oznacza, że przewodzenie zachodzi dzięki elektronom, a symbol musi odpowiadać konwencji stosowanej dla n-kanału (w praktyce spotyka się różne standardy zapisu, dlatego kluczowe jest trzymanie się konwencji użytej w zadaniu/ilustracji).
Kanał wzbogacany (enhancement) oznacza, że przy napięciu bramka–źródło równym 0 V tranzystor jest zasadniczo wyłączony, a kanał tworzy się dopiero po odpowiednim wysterowaniu bramki. W symbolice schematowej zwykle odróżnia się to od trybu zubożanego (depletion) poprzez sposób rysowania kanału (np. jako linia nieciągła lub inny wyróżnik zależny od standardu).
Dlatego poprawny wybór wymaga znalezienia symbolu, który jednocześnie:
- jest MOSFET-em (bramka izolowana),
- ma cechę graficzną odpowiadającą trybowi wzbogacanemu,
- wskazuje kanał typu n, a nie p.
Pozostałe symbole są błędne, jeśli przedstawiają inny typ kanału (p), inny tryb (zubożany) albo inny element/odmianę symbolu, która nie spełnia wszystkich trzech kryteriów jednocześnie. Na egzaminie warto porównywać odpowiedzi parami: najpierw odsiać te, które nie są MOSFET, potem rozróżnić n/p, a na końcu sprawdzić wzbogacany/zubożany według przyjętej konwencji rysunkowej.
