Komórka pamięci to najmniejszy element, który przechowuje 1 bit. Kluczowe jest, na jakim zjawisku/układzie opiera się jej działanie.
Odpowiedź "SRAM" jest poprawna, ponieważ pamięć statyczna buduje komórkę bitu jako układ przerzutnikowy (najczęściej realizowany tranzystorowo), czyli element bistabilny mający dwa trwałe stany logiczne. Taki układ "trzyma" stan bez potrzeby cyklicznego odświeżania – wystarczy samo zasilanie, a zapis/odczyt polega na przełączaniu i obserwacji stanu przerzutnika.
Odpowiedzi z rodziny "DRAM" są niepoprawne w kontekście przerzutnika bistabilnego, bo pamięć dynamiczna przechowuje bit jako ładunek elektryczny w kondensatorze (w praktyce w strukturze komórki DRAM). Ładunek z czasem zanika, więc kontroler pamięci musi wykonywać odświeżanie (refresh), aby informacja nie została utracona.
- "DRAM" – pamięć dynamiczna, bit jako ładunek, wymagany refresh.
- "SDRAM" – nadal DRAM, tylko zsynchronizowana z zegarem; mechanizm komórki pozostaje dynamiczny.
- "DDR SDRAM" – odmiana SDRAM o przesyle danych na obu zboczach zegara; wciąż jest to DRAM z odświeżaniem.
W praktyce ta różnica tłumaczy, dlaczego SRAM bywa używana jako pamięć podręczna (niska latencja, brak narzutu odświeżania), a DRAM jako pamięć główna (większa gęstość upakowania i niższy koszt na bit).