KWALIFIKACJA ELM3 - STYCZEŃ 2012

PYTANIE NR 40.
Tranzystor bipolarny n-p-n, przedstawiony na rysunku, jest w stanie przewodzenia, je żeli potencjały kolektora C, bazy B i emitera E spełnią warunek
Ilustracja przedstawia schemat symbolu tranzystora bipolarny n-p-n, co jest istotne w kontekście egzaminu zawodowego z
A.
B.
C.
D.
Wyjaśnienie poprawnej odpowiedzi:
Aby tranzystor bipolarny NPN przewodził w trybie aktywnym, złącze baza–emiter musi być spolaryzowane w kierunku przewodzenia (potencjał bazy wyższy od emitera), a złącze baza–kolektor w kierunku zaporowym (kolektor wyżej niż baza). Dlatego spełnione jest VC > VB > VE.

Pełne wyjaśnienie:

W tranzystorze bipolarnym NPN przewodzenie prądu (w typowym rozumieniu pracy w trybie aktywnym) wymaga odpowiedniej polaryzacji dwóch złącz półprzewodnikowych:

  • złącze baza–emiter (B–E) musi przewodzić, czyli być spolaryzowane w kierunku przewodzenia; w praktyce oznacza to, że potencjał bazy jest wyższy od potencjału emitera (VB > VE),
  • złącze baza–kolektor (B–C) powinno być spolaryzowane zaporowo, aby nośniki "ściągane" z bazy były zbierane przez kolektor; odpowiada temu warunek kolektor ma wyższy potencjał niż baza (VC > VB).

Po połączeniu tych dwóch warunków otrzymujemy relację potencjałów VC > VB > VE, która opisuje poprawną polaryzację NPN dla przewodzenia w trybie aktywnym.

Dlaczego pozostałe odpowiedzi są niepoprawne?

  • VC < VB < VE odwraca polaryzacje typowe dla NPN i bardziej przypomina sytuację właściwą dla tranzystora PNP lub dla odwróconej pracy; w NPN baza nie powinna być poniżej emitera, jeśli ma zajść przewodzenie przez złącze B–E.
  • VC = VB = VE oznacza brak różnic potencjałów, a więc brak jednoznacznego spolaryzowania złącza B–E w kierunku przewodzenia; w takiej sytuacji tranzystor nie ma warunków do sterowania prądem kolektora.
  • VC = VE i VB > VE spełnia warunek na złącze B–E, ale nie zapewnia poprawnej relacji dla złącza B–C; przy VC równym VE stan pracy jest niejednoznaczny i może prowadzić do warunków zbliżonych do nasycenia lub niewłaściwego odbioru nośników przez kolektor.

Wskazówka egzaminacyjna: dla NPN zapamiętaj zasadę "baza nieco wyżej niż emiter", a "kolektor wyżej niż baza" w trybie aktywnym. To natychmiast przekłada się na porządek potencjałów C > B > E.

Dodatkowe pytania

Dodatkowe pytania (FAQ):
W praktyce oznacza to, że prąd może płynąć w obwodzie kolektora, bo złącze baza–emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia. W trybie aktywnym dodatkowo złącze baza–kolektor jest zaporowo, co umożliwia "zbieranie" nośników przez kolektor.
Złącze baza–emiter przewodzi, gdy potencjał bazy jest wyższy od potencjału emitera (VB > VE). W typowych krzemowych tranzystorach wiąże się to ze spadkiem rzędu ok. 0,6–0,7 V, ale w zadaniu wystarcza sam kierunek nierówności.
Warunek VC > VB oznacza, że złącze baza–kolektor jest spolaryzowane zaporowo. To pozwala, aby nośniki wstrzykiwane z emitera przez bazę były skutecznie przyciągane do kolektora, a tranzystor działał jak element sterowany prądem bazy.
Może wystąpić przewodzenie złącza baza–emiter, jeśli VB > VE, ale nie jest to typowy warunek pracy aktywnej. Przy VC zbliżonym do VE układ może wchodzić w nasycenie lub pracę nieoptymalną, zależnie od obciążenia i prądu bazy.
W trybie aktywnym przewodzi złącze baza–emiter, a baza–kolektor jest zaporowo (umożliwia sterowanie prądem kolektora). W nasyceniu przewodzą oba złącza (baza–emiter i baza–kolektor), co daje małe VCE, ale tranzystor przestaje zachowywać się jak wzmacniacz.
Gdy VC = VB = VE, nie ma wymuszonej polaryzacji złącza baza–emiter w kierunku przewodzenia. Bez różnicy potencjałów między bazą i emiterem nie powstaje prąd bazy wymagany do wysterowania tranzystora, więc nie ma warunków do pracy.
Najczęściej odwracają znaki nierówności: dla NPN baza ma być wyżej niż emiter, a dla PNP odwrotnie. Pomaga rysunek symbolu: strzałka na emiterze "wskazuje" kierunek prądu konwencjonalnego, co ułatwia zapamiętanie, który zacisk powinien mieć wyższy potencjał.
Bardzo często w sterowaniu cewkami przekaźników, elektrozaworami, małymi silnikami DC lub wejściami PLC. NPN bywa użyty jako klucz "niskostronny" (low-side), gdzie emiter jest blisko masy, a baza sterowana z mikrokontrolera przez rezystor.
Na symbolu tranzystora bipolarnych baza to elektrodą "środkowa" (linia pionowa), a emiter ma strzałkę. Kolektor jest pozostałym wyprowadzeniem bez strzałki. W praktyce trzeba też uwzględnić opis elementu (np. Q1) i dokumentację katalogową konkretnego tranzystora.
Zapamiętaj dwa kroki: (1) NPN: baza musi być wyżej niż emiter, bo B–E ma przewodzić. (2) W trybie aktywnym kolektor musi być wyżej niż baza, bo B–C ma być zaporowo. Złożenie daje jedną kolejność: C > B > E.
info

Około 50% zdających odpowiada poprawnie na to pytanie. trudne

Eksperci podkreślają: "Dlatego spełnione jest VC &gt; VB &gt; VE."

Źródła:

  • Wikipedia (PL): "Tranzystor bipolarny" – opis polaryzacji i trybów pracy, https://pl.wikipedia.org/wiki/Tranzystor_bipolarny (dostęp: 2026-02-27)
  • Wikipedia (EN): "Bipolar junction transistor" – sekcje dotyczące active region oraz junction biasing, https://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor (dostęp: 2026-02-27)
  • All About Circuits: "Bipolar Junction Transistors (BJTs)" – omówienie polaryzacji złącz BE/BC i regionów pracy, https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/bipolar-junction-transistors/ (dostęp: 2026-02-27)

Materiały:

  • Podręcznik do podstaw elektroniki: złącza PN i tranzystory bipolarne
  • Noty aplikacyjne producentów (sekcja: BJT jako przełącznik i w trybie aktywnym)
  • Kursy podstaw elektroniki: polaryzacja BJT, tryby pracy, interpretacja napięć na C/B/E

Aktualizacja pytania: 31.03.2026



Aktualizacja pytania: 31.03.2026
📡 Brak połączenia internetowego