Współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego β (często oznaczany także jako hFE) opisuje, ile razy prąd kolektora jest większy od prądu bazy w stanie aktywnym: w uproszczeniu IC ≈ β · IB. W zadaniu podano β1=20 dla T1 oraz β2=10 dla T2, a rysunek sugeruje układ kaskadowy, w którym prąd wytworzony przez pierwszy tranzystor steruje drugim (typowy przykład to układ Darlingtona).
W takim połączeniu prąd wyjściowy pierwszego tranzystora (związany z jego prądem emitera/kolektora) staje się prądem wejściowym kolejnego stopnia (prądem bazy drugiego tranzystora). To powoduje, że całkowite wzmocnienie prądowe rośnie bardzo mocno i w wielu zadaniach egzaminacyjnych przyjmuje się przybliżenie:
Podstawiając dane z treści: βwypadkowe ≈ 20 · 10 = 200. Taki wynik oznacza, że niewielki prąd sterujący na wejściu układu może spowodować znacznie większy prąd po stronie wyjściowej (oczywiście w granicach dopuszczalnych prądów tranzystorów i warunków pracy).
Dlaczego pozostałe odpowiedzi są błędne?
- "2" – to typowy skutek nieuprawnionego dzielenia parametrów lub błędnego skojarzenia z odwrotnością wzmocnienia; β w takim układzie nie maleje do wartości bliskich jedności.
- "30" – wynika z heurystyki dodawania (20+10), ale w kaskadzie wzmocnienia prądowe nie sumują się wprost; kluczowe jest "wzmocnienie wzmocnienia", więc w przybliżeniu jest to iloczyn.
- "0,5" – odpowiadałoby raczej tłumieniu (wzmocnieniu mniejszemu od 1), co nie pasuje do typowego zachowania kaskady tranzystorowej nastawionej na zwiększenie prądu sterującego.
Wskazówka egzaminacyjna: jeśli na rysunku widzisz dwa tranzystory połączone tak, że wyjście pierwszego zasila wejście drugiego (np. emiter/układ wyjściowy T1 do bazy T2), to w zadaniach uproszczonych niemal zawsze sprawdza się rozpoznanie, że wypadkowe β rośnie "mniej więcej jak mnożenie".
