KWALIFIKACJA ELE5 - TEST WIEDZY NR 6

W tabeli podano trzy wielkości: V_BE, V_CE oraz I_C. Taki zestaw parametrów jest charakterystyczny dla tranzystora bipolarnego (BJT), ponieważ w BJT kluczowe jest złącze baza–emiter (V_BE) oraz spadek napięcia kolektor–emiter (V_CE) przy zadanym prądzie kolektora I_C.

Wartość V_BE ≈ 0,7 V jest typowa dla krzemowego złącza p-n spolaryzowanego w kierunku przewodzenia. To silna wskazówka, że elementem jest BJT (a nie tranzystor polowy), bo w tranzystorach polowych zwykle analizuje się napięcie bramka–źródło (V_GS), a nie V_BE.

Jednocześnie pojawia się V_CE = 0,2 V przy I_C = 20 mA, a następnie większe V_CE (0,5 V i 1,0 V) przy tym samym prądzie. W praktyce małe V_CE rzędu kilkuset mV kojarzy się z nasyceniem tranzystora bipolarnego użytego jako klucz (V_CE(sat)). To także pasuje do BJT.

Dlaczego poprawna jest odpowiedź "Tranzystor NPN"? W ujęciu szkolnym, gdy rozpatruje się dodatnie V_BE ≈ 0,7 V (baza wyżej potencjałem od emitera) i pracę kluczującą z małym V_CE, typowo opisuje się to jako przypadek tranzystora NPN sterowanego dodatnim napięciem bazy względem emitera.

• "Tranzystor PNP" bywa sterowany "odwrotnie" (baza niżej potencjałem od emitera), więc bez jednoznacznie określonych biegunowości pomiaru trudniej to uzasadnić na samych dodatnich wartościach.
• "Tranzystor JFET" nie opisuje się parametrem V_BE; kluczowe jest złącze bramka–kanał i napięcie V_GS, a prąd zależy od napięcia sterującego w inny sposób.
• "Tranzystor MOSFET" również nie używa V_BE; analizuje się V_GS, próg V_th i rezystancję kanału R_DS(on), a nie "typowe" 0,7 V na złączu baza–emiter.

Wskazówka egzaminacyjna: gdy widzisz w danych V_BE ~ 0,7 V, myśl najpierw o BJT. Gdy dodatkowo pojawia się V_CE ~ 0,1–0,3 V przy zadanym prądzie, najczęściej chodzi o pracę w nasyceniu (kluczowanie).