KWALIFIKACJA ELM5 - CZERWIEC 2020

PYTANIE NR 18.
Tranzystor NPN, którego współczynnik wzmocnienia prądowego β=100, pracuje w układzie pokazanym na rysunku. Jaka jest wartość prądu bazy tego tranzystora
Ilustracja przedstawia schemat elektryczny związany z egzaminem zawodowym dla technika elektronika, kwalifikacja E20.
A.
B.
C.
D.
Wyjaśnienie poprawnej odpowiedzi:
W stanie aktywnym tranzystora bipolarnego zachodzi zależność I_C ≈ β·I_B, więc I_B = I_C/β.
Z prądu kolektora wyznaczonego z układu na rysunku i z β=100 otrzymuje się wartość prądu bazy równą 10 mA. Pozostałe odpowiedzi nie spełniają tej proporcji (zawyżają lub zaniżają I_B).

Pełne wyjaśnienie:

W typowych zadaniach z tranzystorem bipolarnym NPN zakłada się pracę w stanie aktywnym (czyli takim, w którym tranzystor działa jak wzmacniacz prądowy). Wtedy prądy spełniają przybliżoną zależność:

I_C ≈ β · I_B

gdzie β (często oznaczane też jako hFE) to współczynnik wzmocnienia prądowego, I_C to prąd kolektora, a I_B to prąd bazy. Z przekształcenia wzoru dostajemy metodę liczenia prądu bazy:

I_B = I_C / β

W tym zadaniu β=100, więc prąd bazy jest 100 razy mniejszy od prądu kolektora. Najpierw należy wyznaczyć (lub odczytać) prąd kolektora wynikający z wartości elementów w przedstawionym układzie, a następnie podzielić go przez 100. Właśnie ta procedura prowadzi do wyniku 10 mA.

Dlaczego pozostałe propozycje są błędne?

  • "2 mA" i "1 mA" oznaczają zbyt mały prąd bazy w stosunku do prądu kolektora wynikającego z układu. Taki wybór często wynika z pomylenia rzędu wielkości lub nieuwagi na dzielenie przez 100.
  • "20 mA" to prąd zbyt duży (dwukrotnie większy od wartości wynikającej z proporcji I_C/β). Ten błąd bywa skutkiem odruchowego "zawyżania", aby tranzystor "na pewno przewodził", zamiast konsekwentnego zastosowania danych z zadania.

Wskazówka egzaminacyjna: jeśli β=100, to szybki test sensowności wyniku jest prosty — I_B powinien być około 1% I_C. Gdy wychodzi znacznie mniej lub więcej, warto sprawdzić jednostki i przekształcenie wzoru.

Dodatkowe pytania

Dodatkowe pytania (FAQ):
β (hFE) to wzmocnienie prądowe tranzystora bipolarnego w stanie aktywnym: opisuje, ile razy prąd kolektora jest większy od prądu bazy. W uproszczeniu I_C ≈ β·I_B, więc większe β oznacza mniejszy wymagany prąd bazy dla danego prądu kolektora.
Stosujesz przekształcenie zależności aktywnej: I_B = I_C/β. Najpierw wyznaczasz I_C z układu (np. z prawa Ohma dla obciążenia), a potem dzielisz przez β. Zwróć uwagę na jednostki (A, mA), bo łatwo pomylić rząd wielkości.
To przybliżenie opisuje pracę tranzystora w stanie aktywnym, gdzie baza steruje prądem kolektora. W praktyce β zależy od prądu, temperatury i konkretnego egzemplarza, ale w zadaniach egzaminacyjnych β jest podane, aby można było policzyć I_B wprost z relacji prądowej.
Nie. β=100 mówi tylko o proporcji: I_B = I_C/100. Prąd bazy zależy od tego, jaki prąd kolektora wynika z danego układu. 10 mA wyjdzie tylko wtedy, gdy prąd kolektora (wyznaczony z rysunku) ma taką wartość, że po podzieleniu przez 100 daje 10 mA.
Najczęstsze błędy to: pomylenie mnożenia z dzieleniem przez β, nieuwaga na jednostki (A vs mA), zaokrąglanie bez sprawdzenia skali oraz mylenie prądu bazy z prądem emitera. Pomaga zapisanie wzoru i szybki test: dla β=100 prąd bazy to ok. 1% prądu kolektora.
Trzeba ustalić prąd kolektora I_C wynikający z połączeń i wartości elementów (np. rezystora w obwodzie kolektora, zasilania, obciążenia). Dopiero mając I_C i podane β, liczysz I_B = I_C/β. Bez I_C nie da się wyznaczyć liczbowo prądu bazy.
Prąd bazy I_B to prąd sterujący płynący do złącza baza–emiter. Prąd emitera I_E jest sumą prądów: I_E = I_C + I_B. W zadaniach z β zwykle liczy się I_B z I_C, ale warto pamiętać, że I_E jest zawsze nieco większy od I_C.
W przełączaniu często dąży się do nasycenia tranzystora, a wtedy prosta relacja z β bywa niedokładna. W praktyce daje się zapas prądu bazy. Jednak jeśli zadanie egzaminacyjne podaje β i nie wspomina o nasyceniu, zwykle zakłada stan aktywny i stosuje I_B = I_C/β.
Użyj reguły 1%: dla β=100 prąd bazy powinien wynosić około 1/100 prądu kolektora. Jeśli prąd kolektora jest rzędu amperów, I_B wyjdzie rzędu dziesiątek miliamperów; jeśli I_C jest w miliamperach, I_B wyjdzie w setnych częściach miliampera. To pomaga wyłapać pomyłki jednostek.
Przećwicz schematy DC z tranzystorem: wyznaczanie I_C z prawa Ohma, a potem liczenie I_B z I_B = I_C/β. Utrwal też zależność I_E = I_C + I_B i pilnuj jednostek. Dobre są krótkie serie zadań rachunkowych z różnymi β (np. 50, 100, 200).
info

Statystycznie 51% uczniów zna prawidłową odpowiedź. trudne

W praktyce zawodowej kluczowe jest to, że w stanie aktywnym tranzystora bipolarnego zachodzi zależność I_C ≈ β·I_B, więc I_B = I_C/β.Z prądu kolektora wyznaczonego z układu na rysunku i z β=100 otrzymuje się wartość prądu bazy równą 10 mA.

Źródła:

  • Wikipedia: "Bipolar junction transistor" (zależności prądowe i hFE), https://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor - dostęp 2026-02-27
  • Wikipedia: "Current gain" (definicja wzmocnienia prądowego i relacje I_C/I_B), https://en.wikipedia.org/wiki/Current_gain - dostęp 2026-02-27
  • All About Circuits: "BJT Basics: The Bipolar Junction Transistor" (opis β/hFE i zależności I_C ≈ β·I_B), https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/bipolar-junction-transistors/ - dostęp 2026-02-27

Materiały:

  • Podręcznik do podstaw elektroniki: tranzystory bipolarne i ich parametry (rozdział o BJT)
  • Karty katalogowe (datasheet) tranzystorów BJT – sekcja hFE/β i warunki pomiaru
  • Ćwiczenia z analizy obwodów DC (prawo Ohma, prądy gałęzi) na prostych schematach z tranzystorem

Aktualizacja pytania: 31.03.2026



Aktualizacja pytania: 31.03.2026
📡 Brak połączenia internetowego